中国存储网8月25日消息，半导体巨头韩国SK海力士宣布，该公司现已成功完成321层2Tb（太字节）QLC NAND闪存的研发，并正式启动量产。这一里程碑式成果标志着全球首次在QLC闪存技术中实现300层以上的3D堆叠，创下闪存存储密度的新纪录。

闪存根据单个存储单元可存储的数据位数，分为单层单元（SLC）、多层单元（MLC）、三层单元（TLC）、四层单元（QLC）和五层单元（PLC）。存储位数越多，相同体积下的数据容量就越大，从而提升整体存储效率。

为提升产品成本竞争力，SK 海力士开发出2Tb容量的存储器件，容量较现有解决方案翻倍。并针对大容量闪存可能引发的性能瓶颈，公司将芯片内部的独立操作单元 ——“平面”（planes）数量从4个增加至6个。这一创新设计显著提升了并行处理能力，从而大幅优化同时读取性能。

得益于采用以上这些优化措施，新款321层QLC闪存相较前代产品，在容量大幅提升的同时实现了全面性能升级：数据传输速度大幅提升，读取性能提升18%，写入性能提升高达56%。

另外，需要补充、强调指出的是，写入功耗效率提升超过 23%，使其在对低功耗要求严苛的人工智能数据中心领域展现出强大的市场竞争力。

中国存储网获悉，SK海力士计划首先将该321层闪存应用于适用于消费级个人电脑的固态硬盘，为用户带来更大容量和更快速度的存储体验。然后，再扩展至数据中心企业级固态硬盘及智能手机通用闪存存储（UFS）领域，满足多样化的市场需求。

SK海力士闪存研发部门负责人表示：“随着321层2Tb QLC闪存量产启动，我们进一步强化了大容量产品阵容，并巩固了成本优势。在人工智能需求爆发式增长以及数据中心对高性能存储的迫切需求下，我们将实现关键突破，成为全方位人工智能存储解决方案的领先供应商。”

SK海力士最后表示，目前正着手将321层2Tb QLC闪存提交全球客户验证，预计于2026年上半年正式推向市场。这一技术的广泛应用将为消费电子和企业级存储市场带来革命性变化。

* NAND闪存芯片根据每个单元（Cell）可以存储的信息量（比特,bit），分为SLC（Single level Cell,1位）、MLC（Multi Level Cell,2位）、TLC（Triple Level Cell,3位）、QLC（Quadruple Level Cell,4位）、PLC（Penta Level Cell,5位）等不同规格。单元的信息存储容量越大，意味着单位面积内可储存的数据越多。

* 平面（Plane）：是指可以在单一芯片内能够独立运行的单元和外围电路。将其从4个增加至6个，改善了数据处理性能（Data Bandwidth）之一的同时读取性能。

* 32DP（32 Die Package）：是指为了提升芯片（Chip）容量，将32个Die（裸芯）封装在同一封装中的方式