本图显示了HGST实验室采用自组装分子、倍线技术和纳米压印等新兴纳米技术得到的密集晶格磁岛。每个点可以存储一个位元的信息。这种晶格每平方英寸中有1.2万亿个点，是当前硬盘密度的两倍。为得到这些磁岛，HGST实验室采用纳米技术，创建更小的10纳米结构的密集晶格，每个磁岛的宽度只有大约50个分子宽。HGST率先把自组装分子、倍线技术与纳米压印技术结合起来，可以在磁盘存储转动所需的放射状路径和圆形路径中制造最小10纳米的矩形部件。HGST预计，类似这种晶格介质将在这个十年完结前成为提高磁盘密度的经济型手段。