每个DOM包含8个(4个在前，4个在后)4GB的SLC NAND 组件， 一共为32GB，但是确只有24GB的空间是可寻址的，也就是说只有24GB是系统可识别的，另外的8GB作为备用空间用作地址重定向使用。这种方法是固态硬盘设备为了延长使用寿命最常用的办法。不过无须担心，NAND为企业级的闪存，通常比消费电子品所用的闪存寿命更长，使用寿命一般在5年以上。

F20卡还包含有电源存储模块ESM(Energy Storage Module ), 也就是我们常说的电池。实际上它并不是常规意义上的电池，而是一个叫做超级电容(supercapacito)的东西。它和普通的电池相比， 具有寿命更长，充放电率高，功率更高的优点。不过这种ESM只有2-3年的寿命(Oracle Exadata Owner‘ Guide上说的是3-4年， 这里以 Sun Flash Accelerator F20 Energy Storage Module (ESM) Lifespan. [ID 1327000.1]文档为准，早期的计算ESM的耗损率以两年为基准，现在基本都是以三年的寿命来计算的)，2-3年以后需要更换这个ESM，更换ESM的时候，可以用rolling的方式进行，只在存储节点段逐一进行，而不需要停止数据库。

万一ESM的电量耗尽，则闪存的写模式自动从write-back切换到write-through模式，造成性能下降。当然Exadata Smart Flash Cache(ESFC)这个特性早期只能使用write-through的模式，因此通常不是什么大问题，而使用write-through模式的FSFC性能提升比较有限。在最新版的Exadata 11.2.3.2这个版本(X3都是在这个版本以上)正式引入ESFC的write-back的写模式，这个特性才真正开始发挥ESFC的威力，下一篇将介绍这方面的内容。

F20卡的技术细节，可以在F20的用户手册中找到。