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    TMS推出高利用率RamSan闪存阵列

    来源:存储网 2011-12-08 21:52闪存/SSD

    Texas Memory Systems(TMS)推出了一款利用率高的、共享通道的RamSan闪存阵列。

    许多竞争对手如Violin Memory之前曾批评TMS RamSan闪存SAN阵列不能提供企业运行业务关键应用时所需求的高利用率功能。

    RamSan-720分为6TB和12TB两个不同的容量版本,采用1U外壳和单级单元闪存,可提供最高40万随机读数据IOPS(4k数据块)和最高5GB/秒时滞不超过100µs的连续带宽。它还配备了4个主机连接接口,可以连接8Gbit/s光纤通道或4倍数据传输率的InfiniBand。

    关于时滞和功率的问题,TMS表示,它已经通过将所有数据流操作都保持在硬件之中以及在记录操作中只使用内置CPU等方式来降低时滞。它使用的是功率只有2瓦的低功率内置PowerPC。 这两个特性帮助它把RamSAn-720建在了1U外壳中。

    它需要300-400瓦的功能,TMS称,它是目前市场上使用率最高的SAN闪存阵列,其性能、可靠性、SLC闪存密度也是最高的,不存在单一故障点。高使用率是如何实现的呢?

    高使用率

    首先,它配备了备用硬件组件:主卡和扩展卡都配置了两块Series-7闪存控制器,每个模块就有两个或四个备用控制器。网关接口有两套接口与底板相连。 此外还配备了备用的管理控制器、接口、交叉开关、数据母线、电源、同步脉冲电路和电池。

    其次,每个系统还配备了两个带有双外接接口的RAID控制器。闪存模块和起到故障保护功能的交叉闪存模块还配置了RAID 5。 TMS称之为二维闪存RAID。交叉模块RAID对于TMS来说是一种新技术。

    每个闪存芯片都有自己的ECC(误差检查和纠正),TMS还在系统内部提供了可变RAID。这两项配置和二维RAID可以提供4个层次的数据保护和纠正功能。

    TMS发言人表示:

    以前的RamSan产品非常可靠,几乎所有的故障都提供了备用方案,但我们建议通过应用级高利用率软件来实现真正的高利用率或者反映出那些系统以提供硬件级高利用率。720具备所有这些可靠性功能,它与其他组件一同构成了一个具备硬件级高利用率的系统。

    定位和竞争

    TMS说过,它打算继续扩大其产品范围,向存储管理领域扩展,开发更小的系统和更强大的系统。

    TMS称,RamSan-710的最大容量为5TB,适用于小型应用;720则适用于多种应用和/或更大型的应用。

    它与竞争对手的产品如Huawei Symantec OceanSpace、Dorado 2100、Kaminario K2 Flash和Violin Memory 3000和6000阵列相比,在功率需求方面有何不同呢? TMS称:“720最大的竞争对手是Violin SLC阵列,这些系统要求的功率和物理空间都是Texas Memory Systems的产品的3到4倍,但是由于架构设计的不同,它们的性能反而要低一些。”

    TMS称:“与Violin的产品相比,RamSan-720可以提供类似的容量和更高的性能,但是功耗、占地空间和复杂性只有Violin产品功率的三分之一。 比较一下数据表就可以看出来。”

    当被问及产品价格时,TMS回答说:“市场价是每TB容量13500英镑,这意味着RamSan-710和720的单位容量闪存价格是一样的,并且堪比Tier 0级硬盘存储的价格。 间接费用也是一样的,换句话说,高利用率不需要额外支出。”

    RamSan-720将于1月底上市销售。

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