DELL公司和LSI正在服务器、RAID控制器和路由器中使用一种新的内存类型，预示着NAN​​D闪存的替换。

这是一个被称为MRAM(磁性RAM)的非易失性记忆体形式。根据MRAM的开发商和制造商Everspin科技所说，MRAM已经发展了一段时间，现正由DELL公司和LSI用于日志记忆功能。

他们宣布：

“DELL公司正在他们的RAID存储解决方案中使用MRAM作为日志内存，这中间包括Dell PowerEdge服务器和PowerVault直接连接存储(DAS)，以及DELL公司EqualLogic存储区域网络(SAN)阵列。”

Everspin的MRAM(Toggle MRAM)也在6Gb/s和12Gbit/s的LSI RAID控制卡上被用来作为日志内存，并且包括LSI为第三方RAID卡和板载RAID(ROMB)产品的提供的参考设计在内。

Everspin的首席执行官和总裁，Phil LoPresti说，针对RAID存储的需求：

“MRAM提供了对于元数据存储最佳的非易失性RAM解决方案。展望未来，我们看到我们的下一代自旋转矩MRAM产品，提供非易失性缓冲和缓存应用解决方案，以及交付一个新的纳秒级，GB/s的非易失性存储层。”

Everspin说：

“[我们的]MRAM产品在存储元件上采用一个晶体管，一个磁性隧道结点(MTJ)的记忆体单元... ST-MRAM的编程是驱动电流直接通过MTJ来改变极性方向，感应MTJ的阻抗来完成读操作，就像Toggle MRAM那样。”

这个声称是为了简化MRAM单元，并降低其电力需求。

该公司在2011年出货的MRAM是他们在2010年的三倍之多。他们说已经拥有300家MRAM的客户并在2011年获得了250个新的MRAM优胜设计。Objective分析机构的Jim Handy说：

“MRAM已获得接受为RAID控制器上非易失性SRAM的一个更好选择。”

Everspin这样表示 - 相比选择像NAND闪存那样的非易失性内存解决方案，MRAM消除了对外部元件，如​​电阻、电容、电池或超级电容器，包括额外的电源故障逻辑电路的需要。该公司表示，正是这种消除，提供了在整体成本最低的情况下最可靠的内存。

至于MRAM是否成为NAND闪存的替代品，又是另一回事。