固态硬盘的技术发展，大体集中在接口协议和闪存堆叠两个维度，接口协议方面PCIe5.0的杀到，已然掀起了新的行业震动；而关于更高堆叠层数的闪存，也传来了新的技术突破。

据digitimes报道，消息人士指出，美光科技率先将其176层3D NAND闪存制造工艺转向量产，SK海力士紧随其后，在第四季开始量产。

“三星电子也将通过其位于平泽的第三工厂 (P3) 安装一条新的工艺生产线来提高176 层 3D NAND芯片的产量。当新产能上线时，三星每月将额外生产 40,000-50,000 片晶圆。”消息人士说道。

消息人士称，明年手机和消费类固态硬盘将越来越多地采用176层3D NAND 闪存，到2022年底，整体NAND闪存供应的25%以上将是176层3D NAND 闪存芯片，高于2021年第四季度的近 5%。

此外，自今年第四季度以来，电源管理IC和闪存设备控制器芯片的短缺状况持续改善，鼓励NAND闪存芯片制造商扩大产量。不过消息人士警告称，2022 年上半年 NAND 闪存的供应可能会超过需求。