Kioxia 和WDigital合作开发了他们的第六代162层3D闪存技术。

这是两家公司建立20年合资伙伴关系来的下一个里程碑，也是迄今为止利用技术和制造创新实现的最高密度和最先进的3D闪存技术。

“通过我们长达20年的牢固合作关系，Kioxia和Western Digital成功地在制造和研发方面创造了无与伦比的能力， ” Kioxia首席技术官Masaki Momodomi说。“我们共同生产全球超过30％（1 ）的闪存位，并坚定不移地以令人信服的成本提供卓越的容量，性能和可靠性。我们每个人都在从个人电子设备到数据中心的各种以数据为中心的应用程序以及由5G网络，人工智能和自治系统支持的新兴应用程序中实现这一价值主张。“

为了继续取得这些进步并满足全球不断增长的数据需求，一种新的3D闪存缩放方法至关重要。随着这一新一代技术的发展，Kioxia和Western Digital在垂直和横向缩放方面引入了创新，以在具有更少层数的更小的裸片中实现更大的容量。这项创新最终可以提供客户所需的性能，可靠性和成本要求。

这种第六代3D闪存具有超越传统八交错存储孔阵列的架构，与第五代技术相比，横向单元阵列密度最高可提高10％。与112层堆叠技术相比，这种横向缩放的进步与162层堆叠的垂直存储器相结合，使管芯尺寸减小了40％。

这3个公司的团队还应用了“电路下阵列CMOS”布局和4平面操作，与上一代产品相比，它们共同提高了程序性能近2.4倍，读取延迟10％。I / O性能也提高了66％，从而使下一代接口可以满足对更快传输速率的日益增长的需求。

总体而言，，与前代相比，162层3D闪存技术降低每比特成本。